

MONO 60 CÉLULAS ENTERAS
| Módulo | LT280MA | LT290MA | LT300MA | LT305MA | LT315MA | LT320MA |
Potencia Máxima en STC (PMAX) (W) | 280W | 290w | 300w | 305W | 315W | 320w |
Voltaje de Circuito Abierto (VOC) (V) | 38.52 | 39.15 | 39.84 | 40.15 | 40.91 | 41.3 |
| Voltaje de Operación Óptimo (VMP) (V) | 31.5 | 32.1 | 32.65 | 32.91 | 33.55 | 33.87 |
| Corriente de Cortocircuito (ISC) | 9.43 | 9.58 | 9.65 | 9.79 | 9.91 | 9.97 |
| Corriente de Operación Óptima (IMP) | 8.89 | 9.05 | 9.12 | 9.27 | 9.39 | 9.45 |
| Eficiencia de Mudule | 17.21 | 17.83 | 18.44 | 18.75 | 19.36 | 19.67 |
| TOLERANCIA A LA POTENCIA | 0- + 5w | |||||
COFICITE DE TEMPERATURA DE ISC(Α-isc) | + 0.041% / ℃ | |||||
Temperatura COFICITE DE VOC(Β-VOC) | -0.393% / ℃ | |||||
| Temperatura Cofiacte de pmax(Ṛ-pmp) | -0.310% / ℃ | |||||
Condición de Prueba Estándar (STC) | lrradiance 1000 w / m 2, Temperatura del Módulo 25 ° C, AM = 1.5; Las Tolerancia de Pmax, VOC Y ISC Están A Lugar Partes de +/- 5%. | |||||
| Voltaje Máximo del Sistema | 1000V / 1500V DC (IEC) | |||||
| Operando Temperatura | -40 ℃ - + 85 ℃ | |||||
| No. de Celdas | Monocristalino 156.75 * 156.75mm 60 (6 * 10) | |||||
| Peso | 18.5kg ± 3% / PC | |||||
| Tamaño | 1640 * 992 * 35mm | |||||
| Embalaje | 31pcs / plits | |||||

MONO 120 MEDIOS CELLAS
| Módulo | Lt320mh2 | Lt325mh2 | Lt330mh2 | Lt335mh2 | Lt340mh2 |
Potencia Máxima en STC (PMAX) (W) | 320w | 325w | 330w | 335w | 340w |
Voltaje de Circuito Abierto (VOC) (V) | 40.27 | 40.56 | 40.84 | 41.12 | 41.36 |
| Voltaje de Operación Óptimo (VMP) (V) | 33.62 | 33.87 | 34.13 | 34.36 | 34.63 |
| Corriente de Cortocircuito (ISC) | 10.16 | 10.23 | 10.30 | 10.38 | 10.46 |
| Corriente de Operación Óptima (IMP) | 9.52 | 9.60 | 9.67 | 9.75 | 9.82 |
| Eficiencia de Mudule | 19.2 | 19.5 | 19.8 | 20.1 | 20.4 |
| TOLERANCIA A LA POTENCIA | 0- + 5w | ||||
COFICITE DE TEMPERATURA DE ISC(Α-isc) | + 0.051% / ℃ | ||||
Temperatura COFICITE DE VOC(Β-VOC) | -0.289% / ℃ | ||||
| Temperatura Cofiacte de pmax(Ṛ-pmp) | -0.350% / ℃ | ||||
Condición de Prueba Estándar (STC) | lrradiance 1000 w / m 2, Temperatura del Módulo 25 ° C, AM = 1.5; Las Tolerancia de Pmax, VOC Y ISC Están A Lugar Partes de +/- 5%. | ||||
| Voltaje Máximo del Sistema | 1000V / 1500V DC (IEC) | ||||
| Operando Temperatura | -40 ℃ - + 85 ℃ | ||||
| No. de Celdas | Monocristalino 156.75 * 78.375mm 120 (6 * 20) | ||||
| Peso | 18.7kg ± 3% / PC | ||||
| Tamaño | 1665 * 1000 * 35mm | ||||
| Embalaje | 31pcs / plits | ||||

MONO 72 CÉLULAS ENTERAS
| Módulo | LT340MA | LT350MA | LT360MA | LT375MA | LT380MA | LT385MA |
Potencia Máxima en STC (PMAX) (W) | 340w | 350w | 360w | 375w | 380w | 385W |
Voltaje de Circuito Abierto (VOC) (V) | 46.62 | 47.02 | 47.77 | 48.52 | 48.82 | 49.07 |
| Voltaje de Operación Óptimo (VMP) (V) | 38.12
38.55
39.09
39.81
40.05
40.28
Corriente de Cortocircuito (ISC)
9.44
9.08
9.71
9.92
9.99
10.06
Corriente de Operación Óptima (IMP)
8.92
9.59
9.21
9.42
9.49
9.56
Eficiencia de Mudule
17.51
18.03
18.54
19.32
19.57
19.83
TOLERANCIA A LA POTENCIA
0- + 5w
COFICITE DE TEMPERATURA DE ISC
(Α-isc)
+ 0.041% / ℃
Temperatura
COFICITE DE VOC
(Β-VOC)
-0.393% / ℃
Temperatura COFICITE DE PMAX (ṛ-PMP) -0.310% / ℃ Condición de PRUEBA ESTÍNDAR (STC) LRRADICIDAD 1000 W / M 2, TEPERATURA DEL MÓDULO 25 ° C, AM = 1.5; Las Tolerancia de Pmax, VOC Y ISC ESTÍ A LUNDAS PTES DE +/- 5% .Voltaje Máximo del SISTEMA1000V / 1500V DC (IEC) Operanda Temperatura-40 ℃ - + 85 ℃ No. de CeldasMonocristalino 156.75 * 156.75mm 72 (6 * 12) Peso21.5kg ± 3% / PCTamaño1956 * 992 * 40mmEmbalaje27pcs / plitsMono 144 medias célulasMóduloLt390mh2Lt395mh2Lt400mh2Lt405mh2Lt410mh2Potencia Máxima en STC (PMAX) (W) 390w395w400W405w410WVoltaje de circuito abierto (VOC) (V) 48.9149.2149.549.8150.12Voltaje de Operación Óptimo (VMP) (V) (V) 40.5540.8541.1741.8541.1741.4641.1741.4641.76 Corriente de Cortocircuito (ISC) 10.1610.2110.2610.3210.37 Corriente de operación Óptima (IMP) 9.629.579.729.779.82Edencia de MUDULE19.619.920.220.520.8Tolerancia a la Popencia0- + 5wcoficiee de temperatura de isc (α-isc) + 0.051% / ℃ temperatura coeficiencia de VOC (β-VOC) -0.289% / ℃ Temperatura Cofisterio de Pmax (ṛ-PMP) -0.350% / ℃ Condición de PRUEBA ESTÍNDAR (STC ) LRRADICIDAD 1000 W / M 2, Temperatura del Módulo 25 ° C, AM = 1.5; Las Tolerancia de Pmax, VOC Y ISC ESTÍ A LUNDAS PTES DE +/- 5% .Voltaje Máximo del SISTEMA1000V / 1500V DC (IEC) Operanda Temperatura-40 ℃ - + 85 ℃ No. de CeldasMonocristalino 156.75 * 78.375mm 144 (6 * 24) Peso22.3kg ± 3% / PCTamaño1979 * 1002 * 40mmEmbalaje27pcs / plitsCélulas enteras mono 96MóduloLT480MALT490MALT500MALT505MALT510MALT515MAPotencia Máxima en STC (PMAX) (W) 480W490W500w505w510w515wVoltaje de circuito abierto (VOC) (V) 58.4458.6858.9259.1659.4059.64Voltaje de Operación Óptimo (VMP) (V) 48.7048.9049.1049.3049.5049.70Corriente de cortocircuito (ISC) 10.3510.5210.6810.7510.8110.87Corriente de Operación Óptima (IMP) 9.8610.0210.1810.2410.3010.36Eficiencia de mudule18.9219.3219.7119.9120.1020.50Tolerancia Una LA POPENCIA0- + 5WCOAFICIA DE TEMPERATURA DE ISC (α-ISC) + 0.041% / ℃ Temperatura coffifese de VOC (β-VOC) -0.393% / ℃ temperatura coffifese de pmax (ṛ-pmp) -0.310% / ℃ Condición de prueba estándar (stc) lrradiance 1000 w / m 2, temperatura del módulo 25 ° C, am = 1.5; Las Tolerancia de Pmax, VOC Y ISC ESTÍ A LUNDAS PTES DE +/- 5% .Voltaje Máximo del SISTEMA1000V / 1500V DC (IEC) Operanda Temperatura-40 ℃ - + 85 ℃ No. de CeldasMonocristalino 156.75 * 156.75mm 96 (8 * 12) Peso21.5kg ± 3% / PCTAMIÑO1956 * 1320 * 40MMMAMEMBALAJE27PCS / PLITSCARACTÍSTICAS DE LA EMPRESA1. SIEMPRE APUNTE ALTO EN CALIDAD DE SILICIO MONOCRISTALINO.2. El Objetivo Permanente de Guangzhou Litel Technology Co., Ltd. Sería Hacer LAS MEJORES MARCAS EN LA INFERIA MUNDIAL DE PAÍS DE PAÍS SOLARES DE SILICIO MONOCRISTALLINE. Por favor contactar.
The integrated circuits of Litel Technology single crystalline silicon guarantee its reliability and low power consumption capacity. The integrated circuits gather all electronic components on a silicon chip, making the product compact and minimized. The product can withstand the fluctuations of large voltage
Litel Technology single crystalline silicon is developed by adopting the most advanced integrated circuits technology. The R&D team makes the transistor, resistor, capacitor, and other components gather together to achieve a compact design. The product is highly resistant to high voltage
During the production of Litel Technology monocrystalline silicon, pollution or waste components generated from the production process is carefully and professionally treated. For example, the failed capacitor will be collected and disposed to a certain place. Its aluminum foil features strong fastness and high strength
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